2024年9月内存条ddr2和ddr3的区别（笔记本内存条DDR2和DDR3有什么区别，求高人指点）
⑴内存条ddr和ddr的区别（笔记本内存条DDR和DDR有什么区别，求高人指点
⑵笔记本内存条DDR和DDR有什么区别，求高人指点
⑶DDR：DDR内存每个时钟能够以倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线倍的速度运行。
⑷DDR：采用nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR的.V降至.V，增加异步重置（Reset与ZQ校准功能。
⑸DDR：到CPU的前端总线（FSB接口，到GPU的图形总线接口，外设I/O总线和主存储器总线。为使系统性能最优化，FSB、图形总线和主存储器总线应该各自工作在大致相当的带宽上。
⑹DDR：由于能耗降低，DDR可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR显存的显卡上已有所表现。
⑺DDR：标准规定所有DDR内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性。
⑻DDR：在引脚方面会有所增加，bit芯片采用球FBGA封装，bit芯片采用球FBGA封装。必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
⑼请问内存的DDR和DDR的区别
⑽DDR与DDR的不同之处、逻辑Bank数量DDRSDRAM中有Bank和Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR很可能将从Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是个，另外还为未来的个逻辑Bank做好了准备。、封装（PackagesDDR由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，bit芯片采用球FBGA封装，bit芯片采用球FBGA封装，而DDR则有//球FBGA封装三种规格。并且DDR必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。、突发长度（BL，BurstLength由于DDR的预取为bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength也固定为，而对于DDR和早期的DDR架构的系统，BL=也是常用的，DDR为此增加了一个-bitBurstChop（突发突变模式，即由一个BL=的读取操作加上一个BL=的写入操作来合成一个BL=的数据突发传输，届时可通过A地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如bit顺序突发。、寻址时序（Timing就像DDR从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR的CL周期也将比DDR有所提高。DDR的CL范围一般在至之间，而DDR则在至之间，且附加延迟（AL的设计也有所变化。DDR时AL的范围是至，而DDR时AL有三种选项，分别是、CL-和CL-。另外，DDR还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD，这一参数将根据具体的工作频率而定。、新增功能——重置（Reset重置是DDR新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR身上实现。这一引脚将使DDR的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR达到最节省电力的目的。、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-DieCalibrationEngine来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用个时钟周期，在退出自刷新操作后用时钟周期、在其他情况下用个时钟周期对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。、根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，AutomaticSelf-Refresh。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-RefreshTemperature。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如℃至℃，另一个是扩展温度范围，比如最高到℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。、局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh这是DDR的一个可选项，通过这一功能，DDR内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（MobileDRAM的设计很相似。、点对点连接（PP，Point-to-Point这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR系统的一个关键区别。在DDR系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR内存模组之间是点对点（PP，Point-to-Point的关系（单物理Bank的模组，或者是点对双点（PP，Point-to-two-Point的关系（双物理Bank的模组，从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑、FB-DIMM（服务器之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB（高级内存缓冲器。不过目前有关DDR内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。除了以上点之外，DDR还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了
⑾DDR与DDR的区别
⑿DDR与DDR的不同之处、逻辑Bank数量DDRSDRAM中有Bank和Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR很可能将从Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是个，另外还为未来的个逻辑Bank做好了准备。、封装（PackagesDDR由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，bit芯片采用球FBGA封装，bit芯片采用球FBGA封装，而DDR则有//球FBGA封装三种规格。并且DDR必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。、突发长度（BL，BurstLength由于DDR的预取为bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength也固定为，而对于DDR和早期的DDR架构的系统，BL=也是常用的，DDR为此增加了一个-bitBurstChop（突发突变模式，即由一个BL=的读取操作加上一个BL=的写入操作来合成一个BL=的数据突发传输，届时可通过A地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如bit顺序突发。、寻址时序（Timing就像DDR从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR的CL周期也将比DDR有所提高。DDR的CL范围一般在至之间，而DDR则在至之间，且附加延迟（AL的设计也有所变化。DDR时AL的范围是至，而DDR时AL有三种选项，分别是、CL-和CL-。另外，DDR还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD，这一参数将根据具体的工作频率而定。、新增功能——重置（Reset重置是DDR新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR身上实现。这一引脚将使DDR的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR达到最节省电力的目的。、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-DieCalibrationEngine来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用个时钟周期，在退出自刷新操作后用时钟周期、在其他情况下用个时钟周期对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。、根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，AutomaticSelf-Refresh。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-RefreshTemperature。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如℃至℃，另一个是扩展温度范围，比如最高到℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。、局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh这是DDR的一个可选项，通过这一功能，DDR内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（MobileDRAM的设计很相似。、点对点连接（PP，Point-to-Point这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR系统的一个关键区别。在DDR系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR内存模组之间是点对点（PP，Point-to-Point的关系（单物理Bank的模组，或者是点对双点（PP，Point-to-two-Point的关系（双物理Bank的模组，从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑、FB-DIMM（服务器之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB（高级内存缓冲器。不过目前有关DDR内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。除了以上点之外，DDR还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了
⒀DDR和DDR有什么区别
⒁DDR和DDR的区别主要在内存工作频率上，DDR的频率一般为MHz-MHz，而DDR的一般在MHz-MHz，看出区别了吗?DDR明显强。显存用的是GDDR显卡专用内存，直接刻在显卡的板子上，这个与主板的内存无关，主板上的系统内存是DDR的，就算显卡用GDDR的显存，也不会出现不兼容的问题，可以放心的使用。主板DDR就是主板支持DDR内存，不支持DDR内存，以此类推
⒂内存条，DDR和DDR有什么区别
⒃DDR传输速率是，双通道是，DDR传输速率是，也就是DDR一秒钟传输个数据，则DDR一秒钟传输个文件。不同的CPU要用不同的内存，不然会造成资源浪费。
⒄内存条DDR和DDR的区别是什么
⒅DDR和，物理接口上就不一样，不能混插。二者是两代产品，主要是性能上的区别，DDR带宽更高，速度更快。
⒆DDR，目前分为代，DDR还没有普及，市场上大量的是前三代的产品。目前主流是DDR。
⒇DDR不同代的产品，物理接口就不一样，下面是三代产品物理接口上的区别。
⒈DDR升级换代的主要目的就是越来越快，带宽越来越大。DDR代，最大达到，而DDR代则从起步，目前已经可以达到。
⒉内存DDR和DDR有什么区别
⒊严格的说DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为针脚，比SDRAM多出了个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持.V电压的SSTL标准，而不是SDRAM使用的.V电压的LVTTL标准。DDR内存起始频率从DDR内存最高标准频率Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到Mhz到Mhz,标准工作频率工作频率分别是//MHz，工作电压为.V。DDR采用全新定义的PINDIMM接口标准，完全不兼容于DDR的PINDIMM接口标准。DDR和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR内存可进行bit预读取。两倍于标准DDR内存的BIT预读取，这就意味着，DDR拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。DDR内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的MHZ限制。最后说下DDR其实它相对来说我觉得叫DDRpro应该更为贴切.因为它其实是DDR的延伸..只是提升了频率降低了能耗..实际的技术并没有特别的变化现在DDR内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少